Металлургия полупроводников
|
Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф.
Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведеныобласти его примения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом поизводстве. |
|
современной технике пользуются рядом способов получения материалов высокой чистоты. Таковы йодидный метод, применяемый для очистки некоторых металлов, и метод зонной плавки; оба они описаны в разделе производства...
|
|
Таиров Ю. М., Цветков В. Ф.
В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло-и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде монокристаллов, стекла, керамики), используемых в электронной технике. Издание предназначено для студентов университетов и технических вузов.
В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло-и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде монокристаллов, стекла, керамики), используемых в электронной технике. Издание предназначено для студентов университетов и технических вузов.
|
 |
|
Готра З.Ю.
Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств. |
 |
|
В монографии известного специалиста из ФРГ рассматриваются конвективные процессы при выращивании из расплавов полупроводниковых кристаллов методами Бриджмена, зонной плавки, Чохральского. На основе экспериментальных данных и численного моделирования уравнений Навье-Стокса изучается структура полей течений и температуры и выясняются причины макро- и микро-неоднородностей в распределении примесей, обусловленных тепловой гравитационной конвекцией. Книга содержит большое число иллюстраций, являющихся наглядной интерпретацией результатов технологических экспериментов. Обсуждаются практические мероприятия, позволяющие устранить причины образования дефектов макро- и микронеоднородностей.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов в области технологии материалов, механики жидкости и газа, а также микроэлектроники |
 |